IPD65R420CFDAATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Descripción del producto

Número de pieza:	IPD65R420CFDAATMA1
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET N-CH TO252-3
Especificaciones:	IPD65R420CFDAATMA1.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	82746 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 82746 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.445

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Especificaciones de IPD65R420CFDAATMA1

Número de pieza	IPD65R420CFDAATMA1	Fabricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET N-CH TO252-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	82746 pcs	Ficha de datos	IPD65R420CFDAATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 345µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PG-TO252-3
Serie	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	420 mOhm @ 3.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	83.3W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	SP000928262
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	32nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 8.7A (Tc) 83.3W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8.7A (Tc)

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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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