International Rectifier (Infineon Technologies)| Número de pieza | IPD50R650CEBTMA1 | Fabricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 189719 pcs | Ficha de datos | IPD50R650CEBTMA1.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 150µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | PG-TO252-3 |
| Serie | CoolMOS™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 650 mOhm @ 1.8A, 13V |
| La disipación de energía (máximo) | 47W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Otros nombres | IPD50R650CE IPD50R650CEBTMA1TR IPD50R650CETR IPD50R650CETR-ND SP000992078 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 342pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 13V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
| Descripción detallada | N-Channel 500V 6.1A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6.1A (Tc) |
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