IPC100N04S51R2ATMA1

Infineon Technologies

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Descripción del producto

Número de pieza:	IPC100N04S51R2ATMA1
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
Especificaciones:	IPC100N04S51R2ATMA1.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	75118 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 75118 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de IPC100N04S51R2ATMA1

Número de pieza	IPC100N04S51R2ATMA1	Fabricante	Infineon Technologies
Descripción	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	75118 pcs	Ficha de datos	IPC100N04S51R2ATMA1.pdf
Voltaje - Prueba	7650pF @ 25V	Tensión - Desglose	PG-TDSON-8-34
VGS (th) (Max) @Id	1.2 mOhm @ 50A, 10V	Vgs (Max)	7V, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	OptiMOS™, Automotive, AEC-Q101
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS (Max) @Id, Vgs	100A
Polarización	8-PowerTDFN	Otros nombres	IPC100N04S51R2ATMA1TR SP001262620
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	16 Weeks
Número de pieza del fabricante	IPC100N04S51R2ATMA1	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	131nC @ 10V
Tipo de IGBT	±20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3.5V @ 90µA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 40V 100A 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	40V	relación de capacidades	150W (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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