IPAN65R650CEXKSA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Descripción del producto

Número de pieza:	IPAN65R650CEXKSA1
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
Especificaciones:	IPAN65R650CEXKSA1.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	116787 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 116787 pcs

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Especificaciones de IPAN65R650CEXKSA1

Número de pieza	IPAN65R650CEXKSA1	Fabricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	116787 pcs	Ficha de datos	IPAN65R650CEXKSA1.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3.5V @ 210µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PG-TO220 Full Pack
Serie	CoolMOS™	RDS (Max) @Id, Vgs	650 mOhm @ 2.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)	28W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Otros nombres	SP001508828
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	23nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 10.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10.1A (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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