BSP295E6327

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Descripción del producto

Número de pieza:	BSP295E6327
Fabricante / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
Especificaciones:	BSP295E6327.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	4596 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4596 pcs

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Especificaciones de BSP295E6327

Número de pieza	BSP295E6327	Fabricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción	MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	4596 pcs	Ficha de datos	BSP295E6327.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.8V @ 400µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PG-SOT223-4
Serie	SIPMOS®	RDS (Max) @Id, Vgs	300 mOhm @ 1.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.8W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-261-4, TO-261AA	Otros nombres	BSP295INCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	368pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	17nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Ta)

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Después de las ventas
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