IXFN55N50F

IXYS RF

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFN55N50F
Fabricante / Marca:	IXYS RF
Descripción del producto	MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
Especificaciones:	IXFN55N50F.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3133 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3133 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $13.458

10 pcs: $12.449

30 pcs: $11.439

100 pcs: $10.632

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Especificaciones de IXFN55N50F

Número de pieza	IXFN55N50F	Fabricante	IXYS RF
Descripción	MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3133 pcs	Ficha de datos	IXFN55N50F.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.5V @ 8mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-227B
Serie	HiPerRF™	RDS (Max) @Id, Vgs	85 mOhm @ 27.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	600W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	SOT-227-4, miniBLOC	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	14 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6700pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	195nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	500V
Descripción detallada	N-Channel 500V 55A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	55A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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