VWM200-01P

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	VWM200-01P
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
Especificaciones:	VWM200-01P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5371 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5371 pcs

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Especificaciones de VWM200-01P

Número de pieza	VWM200-01P	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET 6N-CH 100V 210A V2	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5371 pcs	Ficha de datos	VWM200-01P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 2mA	Paquete del dispositivo	V2-PAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	5.2 mOhm @ 100A, 10V
Potencia - Max	-	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	V2-PAK	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	430nC @ 10V	Tipo FET	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Característica de FET	Standard	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 210A Through Hole V2-PAK	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	210A

Modo de transporte
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Especificaciones

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