IXTX32P60P

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTX32P60P
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247
Especificaciones:	IXTX32P60P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	7609 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7609 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $6.536

30 pcs: $5.495

120 pcs: $5.049

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Especificaciones de IXTX32P60P

Número de pieza	IXTX32P60P	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	7609 pcs	Ficha de datos	IXTX32P60P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PLUS247™-3
Serie	PolarP™	RDS (Max) @Id, Vgs	350 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo)	890W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11100pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	196nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	P-Channel 600V 32A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS247™-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	32A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
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