IXTU5N50P

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTU5N50P
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252
Especificaciones:	IXTU5N50P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	66320 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66320 pcs

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Especificaciones de IXTU5N50P

Número de pieza	IXTU5N50P	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	66320 pcs	Ficha de datos	IXTU5N50P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-252, (D-Pak)
Serie	PolarHV™	RDS (Max) @Id, Vgs	1.4 Ohm @ 2.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	89W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	620pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12.6nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	500V	Descripción detallada	N-Channel 500V 4.8A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4.8A (Tc)

Modo de transporte
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