IXTT60N10

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTT60N10
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 60A TO-268
Especificaciones:	IXTT60N10.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	8108 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8108 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

30 pcs: $4.292

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Especificaciones de IXTT60N10

Número de pieza	IXTT60N10	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 100V 60A TO-268	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	8108 pcs	Ficha de datos	IXTT60N10.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-268
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	20 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)	300W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	110nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 60A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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