IXTP24N65X2M

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTP24N65X2M
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH
Especificaciones:	IXTP24N65X2M.pdf
Condición de stock	33143 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 33143 pcs

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Especificaciones de IXTP24N65X2M

Número de pieza	IXTP24N65X2M	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	33143 pcs	Ficha de datos	IXTP24N65X2M.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220 Isolated Tab
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	145 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)	37W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2060pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	36nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V	Descripción detallada	N-Channel 650V 24A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	24A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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