IXTP110N055P

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTP110N055P
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
Especificaciones:	IXTP110N055P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	32956 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 32956 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de IXTP110N055P

Número de pieza	IXTP110N055P	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 55V 110A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	32956 pcs	Ficha de datos	IXTP110N055P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	PolarHT™	RDS (Max) @Id, Vgs	13.5 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	390W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2210pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	76nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	55V	Descripción detallada	N-Channel 55V 110A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	110A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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