IXTH3N120

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTH3N120
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
Especificaciones:	IXTH3N120.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	15786 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15786 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

30 pcs: $2.235

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Especificaciones de IXTH3N120

Número de pieza	IXTH3N120	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	15786 pcs	Ficha de datos	IXTH3N120.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247 (IXTH)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	4.5 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	200W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	39nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V
Descripción detallada	N-Channel 1200V 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)

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