IXTD3N60P-2J

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTD3N60P-2J
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600
Especificaciones:
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4436 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4436 pcs

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Especificaciones de IXTD3N60P-2J

Número de pieza	IXTD3N60P-2J	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 600	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4436 pcs	Ficha de datos
VGS (th) (Max) @Id	5.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	Die
Serie	PolarHV™	RDS (Max) @Id, Vgs	2.9 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	70W (Tc)	Paquete / Cubierta	Die
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	411pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	9.8nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V
Descripción detallada	N-Channel 600V 3A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount Die	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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