IXTA75N10P

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTA75N10P
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 75A TO-263
Especificaciones:	IXTA75N10P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	27938 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 27938 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

50 pcs: $1.141

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Especificaciones de IXTA75N10P

Número de pieza	IXTA75N10P	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 100V 75A TO-263	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	27938 pcs	Ficha de datos	IXTA75N10P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263 (IXTA)
Serie	PolarHT™	RDS (Max) @Id, Vgs	25 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	360W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2250pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	74nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 75A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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