IXTA12N50P

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXTA12N50P
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
Especificaciones:	IXTA12N50P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	38160 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 38160 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

50 pcs: $1.021

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Especificaciones de IXTA12N50P

Número de pieza	IXTA12N50P	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	38160 pcs	Ficha de datos	IXTA12N50P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263 (IXTA)
Serie	Polar™	RDS (Max) @Id, Vgs	500 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	200W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1830pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	29nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	500V
Descripción detallada	N-Channel 500V 12A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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