IXFY4N85X

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFY4N85X
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
Especificaciones:	IXFY4N85X.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	66973 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66973 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $1.259

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Especificaciones de IXFY4N85X

Número de pieza	IXFY4N85X	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	66973 pcs	Ficha de datos	IXFY4N85X.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-252 (IXFY)
Serie	HiPerFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	2.5 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	150W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	26 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	247pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	850V
Descripción detallada	N-Channel 850V 3.5A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252 (IXFY)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A (Tc)

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