IXFT24N80P

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFT24N80P
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 24A TO-268
Especificaciones:	IXFT24N80P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	11021 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 11021 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

30 pcs: $3.364

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Especificaciones de IXFT24N80P

Número de pieza	IXFT24N80P	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 800V 24A TO-268	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	11021 pcs	Ficha de datos	IXFT24N80P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 4mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-268
Serie	HiPerFET™, PolarHT™	RDS (Max) @Id, Vgs	400 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)	650W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7200pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	105nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V
Descripción detallada	N-Channel 800V 24A (Tc) 650W (Tc) Surface Mount TO-268	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	24A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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