IXFN34N80

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFN34N80
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
Especificaciones:	IXFN34N80.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2698 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2698 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

10 pcs: $11.038

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Especificaciones de IXFN34N80

Número de pieza	IXFN34N80	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2698 pcs	Ficha de datos	IXFN34N80.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 8mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-227B
Serie	HiPerFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	240 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	600W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	SOT-227-4, miniBLOC	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	14 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7500pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	270nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V
Descripción detallada	N-Channel 800V 34A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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