IXFN180N10

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFN180N10
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Especificaciones:	IXFN180N10.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5327 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5327 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $9.941

10 pcs: $9.196

30 pcs: $8.45

100 pcs: $7.854

250 pcs: $7.208

500 pcs: $6.86

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Especificaciones de IXFN180N10

Número de pieza	IXFN180N10	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5327 pcs	Ficha de datos	IXFN180N10.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 8mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-227B
Serie	HiPerFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	8 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	600W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	SOT-227-4, miniBLOC	Otros nombres	479462
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9100pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	360nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 180A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
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