IXYS Corporation| Número de pieza | IXFN120N65X2 | Fabricante | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 3284 pcs | Ficha de datos | IXFN120N65X2.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 5.5V @ 8mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SOT-227B |
| Serie | HiPerFET™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 24 mOhm @ 54A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 890W (Tc) | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | SOT-227-4, miniBLOC | Otros nombres | 632519 IXFN120N65X2X IXFN120N65X2X-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15500pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 225nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 650V | Descripción detallada | N-Channel 650V 108A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 108A (Tc) |
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|---|---|---|
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