IXFM10N90

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFM10N90
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	POWER MOSFET TO-3
Especificaciones:	IXFM10N90.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5628 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5628 pcs

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Especificaciones de IXFM10N90

Número de pieza	IXFM10N90	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	POWER MOSFET TO-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5628 pcs	Ficha de datos	IXFM10N90.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-204AA
Serie	HiPerFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	1.1 Ohm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	300W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-204AA, TO-3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4200pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	155nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	900V
Descripción detallada	N-Channel 900V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AA	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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