IXFK200N10P

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFK200N10P
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Especificaciones:	IXFK200N10P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	9391 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9391 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

25 pcs: $3.824

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Especificaciones de IXFK200N10P

Número de pieza	IXFK200N10P	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 100V 200A TO-264	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	9391 pcs	Ficha de datos	IXFK200N10P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 8mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-264AA (IXFK)
Serie	HiPerFET™, PolarP2™	RDS (Max) @Id, Vgs	7.5 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)	830W (Tc)	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	TO-264-3, TO-264AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	26 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7600pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	235nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 200A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	200A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
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