IXFH67N10

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFH67N10
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
Especificaciones:	IXFH67N10.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	4419 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4419 pcs

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Especificaciones de IXFH67N10

Número de pieza	IXFH67N10	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	4419 pcs	Ficha de datos	IXFH67N10.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-247AD (IXFH)
Serie	HiPerFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	25 mOhm @ 33.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	300W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-247-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	260nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	67A (Tc)

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