IXFE36N100

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFE36N100
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
Especificaciones:	IXFE36N100.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1948 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1948 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

10 pcs: $16.883

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Especificaciones de IXFE36N100

Número de pieza	IXFE36N100	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1948 pcs	Ficha de datos	IXFE36N100.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5.5V @ 8mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-227B
Serie	HiPerFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	240 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo)	580W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	SOT-227-4, miniBLOC	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	455nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1000V	Descripción detallada	N-Channel 1000V 33A (Tc) 580W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	33A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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