IXFB52N90P

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFB52N90P
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH TO-264
Especificaciones:	IXFB52N90P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3625 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3625 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

25 pcs: $8.913

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Especificaciones de IXFB52N90P

Número de pieza	IXFB52N90P	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH TO-264	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3625 pcs	Ficha de datos	IXFB52N90P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	6.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PLUS264™
Serie	HiPerFET™, PolarP2™	RDS (Max) @Id, Vgs	160 mOhm @ 26A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1250W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-264-3, TO-264AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	26 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	19000pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	308nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	900V
Descripción detallada	N-Channel 900V 52A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	52A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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