IXFA5N100P

IXYS Corporation

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Descripción del producto

Número de pieza:	IXFA5N100P
Fabricante / Marca:	IXYS Corporation
Descripción del producto	MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
Especificaciones:	IXFA5N100P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	25702 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 25702 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de IXFA5N100P

Número de pieza	IXFA5N100P	Fabricante	IXYS Corporation
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	25702 pcs	Ficha de datos	IXFA5N100P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	6V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263 (IXFA)
Serie	HiPerFET™, PolarP2™	RDS (Max) @Id, Vgs	2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	250W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	24 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1830pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	33.4nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1000V
Descripción detallada	N-Channel 1000V 5A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)

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