70V657S12DRI

IDT (Integrated Device Technology)

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Descripción del producto

Número de pieza:	70V657S12DRI
Fabricante / Marca:	IDT (Integrated Device Technology)
Descripción del producto	IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
Especificaciones:	1.70V657S12DRI.pdf 2.70V657S12DRI.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	5072 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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In Stock 5072 pcs

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Especificaciones de 70V657S12DRI

Número de pieza	70V657S12DRI	Fabricante	IDT (Integrated Device Technology)
Descripción	IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	5072 pcs	Ficha de datos	1.70V657S12DRI.pdf 2.70V657S12DRI.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	12ns	Suministro de voltaje	3.15 V ~ 3.45 V
Tecnología	SRAM - Dual Port, Asynchronous	Paquete del dispositivo	208-PQFP (28x28)
Serie	-	embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	208-BFQFP	Otros nombres	800-2318 IDT70V657S12DRI IDT70V657S12DRI-ND
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)	Tipo de memoria	Volatile
Tamaño de la memoria	1.125Mb (32K x 36)	Interfaz de memoria	Parallel
Formato de memoria	SRAM	Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada	SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28)	Número de pieza base	IDT70V657
Tiempo de acceso	12ns

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Después de las ventas
Especificaciones

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