IDT (Integrated Device Technology)| Número de pieza | 70V657S10BFG | Fabricante | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| Descripción | IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 1437 pcs | Ficha de datos | 1.70V657S10BFG.pdf2.70V657S10BFG.pdf |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 10ns | Suministro de voltaje | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Tecnología | SRAM - Dual Port, Asynchronous | Paquete del dispositivo | 208-FPBGA (15x15) |
| Serie | - | embalaje | Tray |
| Paquete / Cubierta | 208-LFBGA | Otros nombres | 800-2317 IDT70V657S10BFG IDT70V657S10BFG-ND |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño de la memoria | 1.125Mb (32K x 36) | Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | SRAM | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descripción detallada | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 10ns 208-FPBGA (15x15) |
| Número de pieza base | IDT70V657 | Tiempo de acceso | 10ns |
| FedEx | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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