70T653MS12BCI

IDT (Integrated Device Technology)

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Descripción del producto

Número de pieza:	70T653MS12BCI
Fabricante / Marca:	IDT (Integrated Device Technology)
Descripción del producto	IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA
Especificaciones:	1.70T653MS12BCI.pdf 2.70T653MS12BCI.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	401 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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In Stock 401 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de 70T653MS12BCI

Número de pieza	70T653MS12BCI	Fabricante	IDT (Integrated Device Technology)
Descripción	IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	401 pcs	Ficha de datos	1.70T653MS12BCI.pdf 2.70T653MS12BCI.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	12ns	Suministro de voltaje	2.4 V ~ 2.6 V
Tecnología	SRAM - Dual Port, Asynchronous	Paquete del dispositivo	256-CABGA (17x17)
Serie	-	embalaje	Tray
Paquete / Cubierta	256-LBGA	Otros nombres	800-2604 IDT70T653MS12BCI IDT70T653MS12BCI-ND
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	3 (168 Hours)	Tipo de memoria	Volatile
Tamaño de la memoria	18Mb (512K x 36)	Interfaz de memoria	Parallel
Formato de memoria	SRAM	Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Descripción detallada	SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 12ns 256-CABGA (17x17)
Número de pieza base	IDT70T653M	Tiempo de acceso	12ns

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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