HFA16TB120S

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Descripción del producto

Número de pieza:	HFA16TB120S
Fabricante / Marca:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
Especificaciones:	HFA16TB120S.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	5892 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5892 pcs

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Especificaciones de HFA16TB120S

Número de pieza	HFA16TB120S	Fabricante	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción	DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	5892 pcs	Ficha de datos	HFA16TB120S.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	16A
Tensión - Desglose	D2PAK	Serie	HEXFRED®
Estado RoHS	Tube	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	-	Polarización	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres	*HFA16TB120S VS-HFA16TB120S VS-HFA16TB120S-ND VSHFA16TB120S VSHFA16TB120S-ND	Temperatura de funcionamiento - Junction	135ns
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	HFA16TB120S	Descripción ampliada	Diode Standard 1200V (1.2kV) 16A Surface Mount D2PAK
configuración de diodo	20µA @ 1200V	Descripción	DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
Corriente - Fuga inversa a Vr	3V @ 16A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	1200V (1.2kV)
Capacitancia Vr, F	-55°C ~ 150°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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