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GP1M010A080H

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Descripción del producto

Número de pieza: GP1M010A080H
Fabricante / Marca: Global Power Technologies Group
Descripción del producto MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Especificaciones: GP1M010A080H.pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 5547 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5547 pcs
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Especificaciones de GP1M010A080H

Número de pieza GP1M010A080H Fabricante Global Power Technologies Group
Descripción MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5547 pcs Ficha de datos GP1M010A080H.pdf
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo TO-220
Serie - RDS (Max) @Id, Vgs 1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
La disipación de energía (máximo) 290W (Tc) embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3 Otros nombres 1560-1177-1
1560-1177-1-ND
1560-1177-5
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2336pF @ 25V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 53nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 800V
Descripción detallada N-Channel 800V 9.5A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220 Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Tc)

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI ORDENA UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos integrados, Protección de circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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