GP1M005A040PG

Global Power Technologies Group

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Descripción del producto

Número de pieza:	GP1M005A040PG
Fabricante / Marca:	Global Power Technologies Group
Descripción del producto	MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
Especificaciones:	GP1M005A040PG.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4140 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4140 pcs

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Especificaciones de GP1M005A040PG

Número de pieza	GP1M005A040PG	Fabricante	Global Power Technologies Group
Descripción	MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4140 pcs	Ficha de datos	GP1M005A040PG.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	I-PAK
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	1.6 Ohm @ 1.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)	50W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	522pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7.1nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	400V	Descripción detallada	N-Channel 400V 3.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3.4A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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