MURT10040R

GeneSiC Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MURT10040R
Fabricante / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descripción del producto	DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER
Especificaciones:	1.MURT10040R.pdf 2.MURT10040R.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	1855 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1855 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

50 pcs: $21.007

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Especificaciones de MURT10040R

Número de pieza	MURT10040R	Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	1855 pcs	Ficha de datos	1.MURT10040R.pdf 2.MURT10040R.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.35V @ 50A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	400V
Paquete del dispositivo	Three Tower	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Tiempo de recuperación inversa (trr)	90ns
embalaje	Bulk	Paquete / Cubierta	Three Tower
Otros nombres	MURT10040RGN	Temperatura de funcionamiento - Junction	-40°C ~ 175°C
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	4 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Standard, Reverse Polarity	configuración de diodo	-
Descripción detallada	Diode Array Standard, Reverse Polarity 400V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower	Corriente - Fuga inversa a Vr	25µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	100A (DC)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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