MBRTA60035L

GeneSiC Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MBRTA60035L
Fabricante / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descripción del producto	DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3TOWER
Especificaciones:	MBRTA60035L.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4722 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4722 pcs

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Especificaciones de MBRTA60035L

Número de pieza	MBRTA60035L	Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3TOWER	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4722 pcs	Ficha de datos	MBRTA60035L.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	600mV @ 300A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	35V
Paquete del dispositivo	Three Tower	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	Three Tower	Temperatura de funcionamiento - Junction	-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Schottky
configuración de diodo	1 Pair Common Cathode	Descripción detallada	Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35V 300A Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr	3mA @ 35V	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	300A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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