MBR40030CTRL

GeneSiC Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MBR40030CTRL
Fabricante / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descripción del producto	DIODE SCHOTTKY 30V 200A 2 TOWER
Especificaciones:	MBR40030CTRL.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5437 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5437 pcs

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Especificaciones de MBR40030CTRL

Número de pieza	MBR40030CTRL	Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	DIODE SCHOTTKY 30V 200A 2 TOWER	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5437 pcs	Ficha de datos	MBR40030CTRL.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	580mV @ 200A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	30V
Paquete del dispositivo	Twin Tower	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	Twin Tower	Temperatura de funcionamiento - Junction	-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de diodo	Schottky
configuración de diodo	1 Pair Common Anode	Descripción detallada	Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 30V 200A Chassis Mount Twin Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr	3mA @ 30V	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	200A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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