MBR12035CTR

GeneSiC Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	MBR12035CTR
Fabricante / Marca:	GeneSiC Semiconductor
Descripción del producto	DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
Especificaciones:	1.MBR12035CTR.pdf 2.MBR12035CTR.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2026 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2026 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

25 pcs: $17.906

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Especificaciones de MBR12035CTR

Número de pieza	MBR12035CTR	Fabricante	GeneSiC Semiconductor
Descripción	DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2026 pcs	Ficha de datos	1.MBR12035CTR.pdf 2.MBR12035CTR.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	650mV @ 120A	Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	35V
Paquete del dispositivo	Twin Tower	Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	Twin Tower	Otros nombres	MBR12035CTRGN
Tipo de montaje	Chassis Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	4 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo	Schottky	configuración de diodo	1 Pair Common Anode
Descripción detallada	Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 35V 120A (DC) Chassis Mount Twin Tower	Corriente - Fuga inversa a Vr	3mA @ 20V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	120A (DC)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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