GI856-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Descripción del producto

Número de pieza:	GI856-E3/54
Fabricante / Marca:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción del producto	DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Especificaciones:	GI856-E3/54.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4237 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4237 pcs

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Especificaciones de GI856-E3/54

Número de pieza	GI856-E3/54	Fabricante	Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción	DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4237 pcs	Ficha de datos	GI856-E3/54.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)	Standard	Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	3A
Tensión - Desglose	DO-201AD	Serie	-
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F	28pF @ 4V, 1MHz	Polarización	DO-201AD, Axial
Otros nombres	GI856-E3/54-ND GI856E354	Temperatura de funcionamiento - Junction	200ns
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	GI856-E3/54	Descripción ampliada	Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
configuración de diodo	10µA @ 600V	Descripción	DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Corriente - Fuga inversa a Vr	1.25V @ 3A	Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)	600V
Capacitancia Vr, F	-50°C ~ 150°C

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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