FDS4488

Fairchild/ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDS4488
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Especificaciones:	FDS4488.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	170189 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 170189 pcs

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Especificaciones de FDS4488

Número de pieza	FDS4488	Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	170189 pcs	Ficha de datos	FDS4488.pdf
Voltaje - Prueba	927pF @ 15V	Tensión - Desglose	8-SOIC
VGS (th) (Max) @Id	22 mOhm @ 7.9A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	PowerTrench®
Estado RoHS	Digi-Reel®	RDS (Max) @Id, Vgs	7.9A (Ta)
Polarización	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	FDS4488DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Número de pieza del fabricante	FDS4488
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13nC @ 5V	Tipo de IGBT	±25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	3V @ 250µA	Característica de FET	N-Channel
Descripción ampliada	N-Channel 30V 7.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-
Descripción	MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	30V
relación de capacidades	2.5W (Ta)

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