FDS4675

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDS4675
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
Especificaciones:	FDS4675.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	84290 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 84290 pcs

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2500 pcs: $0.232

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Especificaciones de FDS4675

Número de pieza	FDS4675	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	84290 pcs	Ficha de datos	FDS4675.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	13 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.4W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	FDS4675-ND FDS4675TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4350pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	56nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V	Descripción detallada	P-Channel 40V 11A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta)

Modo de transporte
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Especificaciones

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