FDD8874

Fairchild/ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDD8874
Fabricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
Especificaciones:	FDD8874.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	129617 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 129617 pcs

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Especificaciones de FDD8874

Número de pieza	FDD8874	Fabricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	129617 pcs	Ficha de datos	FDD8874.pdf
Voltaje - Prueba	2990pF @ 15V	Tensión - Desglose	TO-252AA
VGS (th) (Max) @Id	5.1 mOhm @ 35A, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	PowerTrench®
Estado RoHS	Tape & Reel (TR)	RDS (Max) @Id, Vgs	18A (Ta), 116A (Tc)
Polarización	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	FDD8874-ND FDD8874TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks
Número de pieza del fabricante	FDD8874	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	72nC @ 10V
Tipo de IGBT	±20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	2.5V @ 250µA
Característica de FET	N-Channel	Descripción ampliada	N-Channel 30V 18A (Ta), 116A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	Descripción	MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	30V	relación de capacidades	110W (Tc)

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