FDD8876

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDD8876
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK
Especificaciones:	FDD8876.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	131331 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 131331 pcs

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Especificaciones de FDD8876

Número de pieza	FDD8876	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	131331 pcs	Ficha de datos	FDD8876.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-252AA
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	8.2 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo)	70W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	FDD8876CT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	5 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	47nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	N-Channel 30V 15A (Ta), 73A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	15A (Ta), 73A (Tc)

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Especificaciones

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