SQR70090ELR_GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SQR70090ELR_GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CHANNEL 100V 86A DPAK
Especificaciones:	SQR70090ELR_GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	80365 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 80365 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de SQR70090ELR_GE3

Número de pieza	SQR70090ELR_GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 100V 86A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	80365 pcs	Ficha de datos	SQR70090ELR_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D-PAK (TO-252)
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	8.7 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)	136W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	65nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 86A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	86A (Tc)

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Especificaciones

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