SQM120N04-1M7L_GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SQM120N04-1M7L_GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Especificaciones:	SQM120N04-1M7L_GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	50283 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 50283 pcs

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Especificaciones de SQM120N04-1M7L_GE3

Número de pieza	SQM120N04-1M7L_GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 40V 120A TO263	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	50283 pcs	Ficha de datos	SQM120N04-1M7L_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	1.7 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)	375W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	SQM120N04-1M7L-GE3 SQM120N04-1M7L-GE3TR SQM120N04-1M7L-GE3TR-ND SQM120N04-1M7L_GE3TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	14606pF @ 20V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	285nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V
Descripción detallada	N-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)

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Después de las ventas
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