SQ7002K-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SQ7002K-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Especificaciones:	SQ7002K-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	239674 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 239674 pcs

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Especificaciones de SQ7002K-T1-GE3

Número de pieza	SQ7002K-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	239674 pcs	Ficha de datos	SQ7002K-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	1.3 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	500mW (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	21 Weeks	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	24pF @ 30V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.4nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 320mA (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	320mA (Tc)

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