Electro-Films (EFI) / Vishay| Número de pieza | SQ3427AEEV-T1_GE3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 60V 6TSOP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 197937 pcs | Ficha de datos | SQ3427AEEV-T1_GE3.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 6-TSOP |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 95 mOhm @ 4.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 5W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Otros nombres | SQ3427AEEV-T1-GE3 SQ3427AEEV-T1_GE3-ND SQ3427AEEV-T1_GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 30V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V |
| Descripción detallada | P-Channel 60V 5.3A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Tc) |
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