SIS782DN-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIS782DN-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
Especificaciones:	SIS782DN-T1-GE3.pdf
Condición de stock	211185 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 211185 pcs

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Especificaciones de SIS782DN-T1-GE3

Número de pieza	SIS782DN-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	211185 pcs	Ficha de datos	SIS782DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerPAK® 1212-8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	9.5 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	41W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	PowerPAK® 1212-8	Otros nombres	SIS782DN-T1-GE3-ND SIS782DN-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento	-50°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1025pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	Schottky Diode (Body)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 16A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)

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