SIRA18DP-T1-RE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIRA18DP-T1-RE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8
Especificaciones:
Condición de stock	256428 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 256428 pcs

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Especificaciones de SIRA18DP-T1-RE3

Número de pieza	SIRA18DP-T1-RE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	256428 pcs	Ficha de datos
VGS (th) (Max) @Id	2.4V @ 250µA	Vgs (Max)	+20V, -16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerPAK® SO-8
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	7.5 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	14.7W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	PowerPAK® SO-8	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Tiempo de entrega estándar del fabricante	32 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	21.5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 33A (Tc) 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	33A (Tc)

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