SIR862DP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIR862DP-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Especificaciones:	SIR862DP-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	78230 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 78230 pcs

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Especificaciones de SIR862DP-T1-GE3

Número de pieza	SIR862DP-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	78230 pcs	Ficha de datos	SIR862DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerPAK® SO-8
Serie	TrenchFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	2.8 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)	5.2W (Ta), 69W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	PowerPAK® SO-8	Otros nombres	SIR862DP-T1-GE3TR SIR862DPT1GE3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3800pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	90nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V
Descripción detallada	N-Channel 25V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)

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