SIHH24N65E-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción del producto

Número de pieza:	SIHH24N65E-T1-GE3
Fabricante / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción del producto	MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
Especificaciones:	SIHH24N65E-T1-GE3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	23966 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 23966 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $2.868

10 pcs: $2.581

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Especificaciones de SIHH24N65E-T1-GE3

Número de pieza	SIHH24N65E-T1-GE3	Fabricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción	MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	23966 pcs	Ficha de datos	SIHH24N65E-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	PowerPAK® 8 x 8
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	150 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)	202W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	SIHH24N65E-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2814pF @ 100V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	116nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	650V
Descripción detallada	N-Channel 650V 23A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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